|
|
Návrh efuzní cely pro depozici ultratenkých vrstev Sn a Zn
Horák, Stanislav ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a sestavením efuzních cel pro depozici ultra- tenkých vrstev zinku a cínu. V práci jsou úvodem vysvětleny principy funkce efuzních cel, jako je metoda molekulární svazkové epitaxe (MBE) a tvorba efuzního toku. Dále je uve- dené shrnutí obecné konstrukce atomarních zdrojů a rešeršní studie o růstu ultratenkých vrstev a nanostruktur zinku, cínu a jejich sloučenin. V praktické části byly vytvořeny dva návrhy efuzních cel s radiačním ohřevem z karbidu křemíku a ohřevem pomocí dopadu elektronů. Přílohou práce je kompletní výkresová dokumentace navržených efuzních cel
|
|
|
Návrh atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách UHV
Horáček, Matěj ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky.
|
|
|
Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy)
Mach, Jindřich ; Čech, Vladimír (oponent) ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty.
|
|
|
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Šamořil, Tomáš ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ultratenkých gallium nitridových vrstev (GaN), jež jsou důležité pro výzkum v oblasti mikroelektroniky a optoelektroniky. Po uskutečnění optimalizace byly při nižších teplotách substrátu (
|
|
|
Návrh a konstrukce efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev
Křápek, Ondřej ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii.
|
|
|
Optimalizace vysokofrekvenčního atomárního disociačního zdroje pro depozici GaN
Kern, Michal ; Wertheimer, Pavel (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov.
|
|
|
Optimalizace zdroje atomů uhlíku pro růst grafenových vrstev metodou MBE
Liška, Petr ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).
|
|
|
Application of oxygen atomic beams
Mikerásek, Vojtěch ; Čech, Vladimír (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM.
|
|
|
Optimalizace zdroje atomů uhlíku pro růst grafenových vrstev metodou MBE
Liška, Petr ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).
|
|
|
Návrh efuzní cely pro depozici ultratenkých vrstev Sn a Zn
Horák, Stanislav ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a sestavením efuzních cel pro depozici ultra- tenkých vrstev zinku a cínu. V práci jsou úvodem vysvětleny principy funkce efuzních cel, jako je metoda molekulární svazkové epitaxe (MBE) a tvorba efuzního toku. Dále je uve- dené shrnutí obecné konstrukce atomarních zdrojů a rešeršní studie o růstu ultratenkých vrstev a nanostruktur zinku, cínu a jejich sloučenin. V praktické části byly vytvořeny dva návrhy efuzních cel s radiačním ohřevem z karbidu křemíku a ohřevem pomocí dopadu elektronů. Přílohou práce je kompletní výkresová dokumentace navržených efuzních cel
|
host ::
RSS.